Синтез, властивості та застосування діелектриків з високою діелектричною проникністю у кремнієвих приладах

Монографія присвячена синтезу, атомній, електронній структурі, механізмам перенесення заряду та застосування діелектриків з високою діелектричною проникністю у кремнієвих приладах флеш-пам'яті. Розглядаються найбільш важливі та перспективні діелектрики Al2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, тверді розчини (HfO2)x(Al2O3)1 – x. Аналізується також електронна структура трьох традиційних ключових діелектриків у кремнієвих приладах: оксиду SiO2, оксинітриду SiOxNy та нітриду Si3N4 кремнію. Книга адресується студентам, аспірантам, інженерам та науковим співробітникам, які займаються фізикою твердого тіла та мікроелектронікою.